Отправлено Tinto 31 марта 2004 г. 18:03 В ответ на: Ответ: Интересно... отправлено Dimich 29 марта 2004 г. 20:03

Я несколько другое имел в виду. К примеру имеется полумост из 2х модулей или из одного полумостового модуля IGBT. Предположим для простоты, что нагрузка чисто активная скорость переключения тока порядка 3000А/мкс. Так вот при суммарной паразитной индуктивности выводов модуля(~10...20нГн) и силового контура(~100...150нГн) -170нГн выброс напряжения составит 510В и это выброс складывается снапряжением питания полумоста 1200/2 + 510 = 1110В. Что очень близко к допустимому 1200В для 1го ключа. Цифры все приведены реальные для широко распостраненных модулей. Для этого и пытаются производители модулей минимизировать индуктивность силовых выводов, а разработчики преобразователей минимизировать индуктивность силового контура.

• Ответ: Я понял, что Вы имели в виду. Сути вопроса это не меняет. Я уверен, что есть аналитические методы. Посмотрите конференции, литературу. — Dimich   (01.04.2004 16:22, 267 байт)
  • Ответ: — Tinto   (01.04.2004 20:06, 504 байт)
    • Ответ: — Dimich   (02.04.2004 11:11, 212 байт)
      • Ответ: — Tinto   (02.04.2004 20:04, 311 байт)