Отправлено BAM 08 января 2002 г. 17:16 В ответ на: Ответ: отправлено Vallav 08 января 2002 г. 15:58

"А дроссель в цепи базы при запирании по базе ( не по эмиттеру ! ) для некоторых типов транзисторов вроде бы нужен. Правда, когда я про это прочитал, пробовал наблюсти сей эффект, неудалось. Наверно транзисторы попались "неудачные"."
как раз про эти некоторые типы транзисторов идет речь.
и если прочитал должна быть уверенность надо или нет.

P.S. какой ты быстрый, уже собрал схему и проверил ?

• Ответ: — Vallav   (08.01.2002 19:53, 361 байт)
  • Проблема срыва насыщения верхнего ключа легко решается пропорциональным управлением (правда с помощью нелюбимого вами трансформтора). — BAM   (09.01.2002 09:20, пустое)
    • Не решается, а частично облегчается. Пропорционально-токовое управление снимает проблему изменения степени насыщения от выходного тока, но остается зависимость Bст от режима и температуры, а также его разброс. — Aleksei Pogorily   (09.01.2002 17:59, пустое)
      • Оптимально даже полевиками не управляют ( другое дело насколько ты близок к оптимуму тем или иным способом) — BAM   (10.01.2002 09:02, пустое)
    • Дерзайте. А мы будем по простому, на мопах: — Vallav   (09.01.2002 11:01, пустое)
      • да я сам уже давно ничего на бип. не делаю. именно из-за простоты и изящества управления моп. — BAM   (09.01.2002 12:07, пустое)
        • Эт' смотря где... — AK   (09.01.2002 13:51, 310 байт)
        • Эт' смотря где... — AK   (09.01.2002 13:51, 310 байт)