Отправлено Aleksei Pogorily 09 января 2002 г. 17:40 В ответ на: Дайте место щас чел. который не понимает как работает биполярный транзистор буде объяснять особенности выключения высоковольтных Sil Dif f отправлено BAM 09 января 2002 г. 09:13

Для начала - определение одного термина. "Пассивной базой" или "пассивной областью транзистора" называют ту область, которая далеко от собственно npn (или pnp) структуры и поэтому ею практически не управляется.

Для сильно высоковольтных транзисторов (не 2Т809 с граничным напряжением 200В или КТ840/841 с граничным напряжение 350-400 вольт, а гораздо более высоковольтных) диод, образованный пассивной областью, оказывается очень медленным.
При медленном выключении таких транзисторов заряд в пассивной области успевает в основном рассосаться и исчерпаться за счет аннигиляции носителей, пока напряжение на транзисторе еще низкое. И поэтому выключение транзистоа эта область выдерживает.
При быстром же выключении транзистора эффекты, связанные с рассасыванием большого заряда пассивной области, оказываются столь сильными, что приводят к выходу транзистора из строя. Кстати, для силовых MOSFET лимитируется dU/dt при выключении входящего в их структуру диода, видимо, из сходных соображений - слишком быстрое выключение относительно медленного (по сравнению с самим MOSFET) диода приводит к слишком тяжелому режиму с большим током и напряжением одновременно в течение относительно долгого времени.

Но все же отмечу, что ток выключения 5-8 ампер - это очень много. Возможно, при 0,5-1 ампере (а это, в частности, в пределах допустимого базового тока) ситуация полегче. Хотя хрен его знает ...
И еще - видимо, безопасным будет режим, даже при больших токах, когда выключение осуществляется в следующей последовательности.
1. Вывод транзистора из насыщения, до Uкэ, видимо, 10-20 вольт, например, переводом схемы управления с задания большого базового тока на связь Baker-а, с диодом между коллектором и базой (последовательно с диодом или с базой - источник напряжения, обеспечивающий открывание диода только при нужном напряжении коллектор-база).
2. Разрыв эмиттерной цепи уже после этого.
Как вариант - выключение транзистора обычной цепью с индуктивностью в цепи базы и слежение за напряжением коллектора, разрыв эмиттера по достижении напряжением коллектора соответствующего уровня, без слежения не получится - слишком велик разброс времени выхода из насыщения.
Но схема управления получается довольно навороченная.

• Когда начинаеш говорить своими словами часто возникают ошибки. посмотри по ссылке и внутри. — BAM   (10.01.2002 08:55, 746 байт, ссылка)
  • Как устроены VIP Switches — Aleksei Pogorily   (10.01.2002 14:37, пустое, ссылка)
    • Каскод БИП. + MOSFET хороший скоростной высоковольтный ключ но не с КТ872 и им подобным ( спасибо хорошая инфа) — BAM   (10.01.2002 15:07, пустое)
  • В указанном документе см. стр.100 fig.5. Ключевые слова - Emitter Drive. — Aleksei Pogorily   (10.01.2002 13:57, пустое)
    • Ответ: — BAM   (10.01.2002 14:53, 1074 байт)