|
Отправлено
Aleksei Pogorily 11 января 2002 г. 16:15 В ответ на: Дайте место щас чел. который не понимает как работает биполярный транзистор буде объяснять особенности выключения высоковольтных Sil Dif f отправлено BAM 09 января 2002 г. 09:13 |
 |
|
|
Что-то меня это задело, я решил изучить литературу.
То, что работает при менее чем 1 ампере - не доказательство, а экспериментировать с токами 5-8 ампер просто так - возни много.
Да и в любом случае одиночный эксперимент мало что докажет - мало ли, партия транзисторов более удачная может попасться.
1. Литература (различная) однозначно утверждает, что область безопасных режимов при выключении по эмиттеру сильно растет, а само выключение ускоряется. Нашел упоминания (общего характера) в апликейшене у Филипса. Нашел ссылки на оригинальные работы 70х-80-х годов, но в И-нете их не обнаружил. Советская литература утверждает то же самое. Нашел использование в такой схеме КТ828 (а он хуже КТ838, 2Т839, КТ872; правда, то не более 3 ампер), ТК335 (силовых транзисторов, 25 А, 700 вольт, т.е. более низковольтных), КТ848 (составной транзистор для сэем зажигания в автомобилях, в обычной схеме в SMPS вряд ли применим).
См. пследние сборники ЭТвА, книги-сборники на эту же тему под ред.Конева, брошюру Поликарпова и Сергиенко про однотактные преобразователи напряжения и др.
2. Условием работы транзистора с общей базой (вообще!) является малое сопротивление базовой цепи. Боюсь, что все проблемы были от этого.
Как ведет себя Д815 при больших импульсных токах стабилизации - не знаю. А про конденсаторы могу сказать определенно - они очень разные.
Я их много в свое время исследовал. К50-24 большого размера, например, все имеют индуктивную составляющую (характерный выброс при подаче на конденсатор перепада тока). А К52-1 - нет, у них, наоборот, такое впечатление, что в конденсаторе 470 мкф есть безиндуктивный конденсатор на несколько микрофарад с малым ESR (раза в 2 меньше чем у основного), подключенный впараллель основному (впрочем, так оно и есть - основная емкость на внутренних поверхностях пористой таблетки тантала, маленькая с малым ESR - на внешней поверхности). Очень приличные на синусоидальном токе 20-50 кгц К53-28 (ESR практически нет, емкость близка к той, что на низких частотах) имеют на перепаде тока довольно жуткий выброс индуктивного происхождения. К50-12, как оказалось, имеют индивидуальный разброс - у одних индуктивного выброса практически нет, у других он довольно велик. Импортные алюминиевые электролиты ведут себя похоже на наши и тоже по-разному. Это я перечислил конденсаторы с ESR не более 0,2 ом, чтобы на сопротивлении выброс был не очень большой.
Полагаю, при токе 8 А и времени 50 нс (то есть 400 нанокулонах) положение может спасти керамический конденсатор на 1 - 2,2 мкф (лучше для поверхностного монтажа), у них индуктивность порядка 1 наногенри, можно включить несколько меньшей емкости впараллель, особенно если с выводами.
Пленочные конденсаторы все имеют даже не выброс, а звон (добротность высокая).
Еще надо обязательно озаботиться хорошим диодом для слива тока базы в конденсатор. При таких токах - Шоттки, они не имеют прямой инерционности. При меньших - сойдут и быстрые импульсные 2Д510 и аналогичные, у них предельный импульсный ток 1.5 А и инерционность ничтожная.
3. О роли "хвоста". Он также упомянут в советской литературе. Как следствие слишком форсированных режимов выключения, повышает потери и уменьшает ОБР. Но! Только при выключении по базе. В том числе для транзисторов КТ840 (граничное напряжение 400 вольт, т.е. не слишком высоковольтных).
Особо активная борьба с "хвостом" в телевизионных транзисторах для строчной развертки обьясняется спецификой схемы их применения - это индуктивно-емкостный генератор пилообразного напряжения с двухсторонним транзисторно-диодным ключом и циркуляцией энергии.
Дя этой схемы характерно медленное нарастание напряжения при выключении транзистора (0,15 В/нс или около того). При этом "хвост" даже небольшого тока попадает на высокое напряжение и значительно растит потери. Что, с учетом того, что энергия в этой схеме циркулирует по кругу источник питания - индуктивность - емкость - индуктивность - источник питания (а рассеивается лишь на паразитных элементах), совсем плохо сказывается на общем потреблении энергии выходным каскадом строчной развертки, требует увеличения радиатора транзистора и роста мощности источника питания, т.е. невыгодно экономчески. В то же время время рассасывания транзистора в этой схеме некритично - годится любое менее 15 микросекунд. Поэтому там и оптимизируют параметры переключения снижением скорости спада базового тока, а на улучшение характеристик транзистора усилий не тратят (экономика! транзистор нужен дешевый).
В источниках питаня (кроме флайбэков со снаббер-цепью) ситуация совсем другая - там напряжение даже при биполярных транзисторах нарастает раз в 10 быстрее, а уменьшение тока коллектора начинается только тогда, когда напряжение достигло максимума. Там потери определяются общим зарядом выключения, и хвост не имеет столь серьезного значения. В флайбэках ситуация промежуточная - в значительной мере потому, что там применяются те же транзисторы для строчной развертки.
E-mail: 
info@telesys.ru