Отправлено Леонид Иванович 20 октября 2004 г. 16:01 В ответ на: Там PMOS - погляди на стрелочку, вот еще картинка, где питающий источник сделан на втором ОУ - недорисованы входы, но идея, думаю, ясна отправлено Неизвестный 20 октября 2004 г. 15:48

MOSFET не прокатит из-за огромного тока утечки. JFET - из-за низкого рабочего напряжения и эффекта лавинной ионизации затвора. Биполярный - из-за тока базы, Дарлингтон - из-за обратного тока коллектора.

• Ну, картинку можно скачать по ссылке. А вот про INA168 я не знаю. Ниже я описал её словами. — Неизвестный   (20.10.2004 16:07, пустое)
  • Картинка не скачивается, нет такого файла :( Не могли бы Вы намылить? — Леонид Иванович   (20.10.2004 16:19, пустое)
    • Отправил — Неизвестный   (20.10.2004 16:34, пустое)
      • Огромное спасибо! — Леонид Иванович   (20.10.2004 16:58, 188 байт)
        • Зачем же Вам брать такой хреновый MOSFET :-) Вам надо высоковольтные брать — -=Shura=-   (20.10.2004 17:05, 147 байт)
          • Так какой взять? Высоковольтные, что мне попадались, имеют микроамперные утечки. — Леонид Иванович   (20.10.2004 17:26, пустое)
            • При Vds близком к максимальному! — -=Shura=-   (20.10.2004 17:44, 65 байт)
              • P.S. Если хочется нормированный - SI1025 25нА макс. при +25С, 250нА при +80 — -=Shura=-   (20.10.2004 17:50, пустое)
                • Хочется :-) Да, этот транзистор может подойти, ток утечки при +25° меньше 100 нА. — Леонид Иванович   (20.10.2004 18:37, пустое)
                  • Меньше 25нА :) при 50В, только TP0610K лучше — Неизвестный   (20.10.2004 18:51, пустое)
                • Аналогично TP0610K от VISHAY — Неизвестный   (20.10.2004 18:30, пустое)