Отправлено mse 18 марта 2002 г. 14:08 В ответ на: Ответ: отправлено Aleksei Pogorily 18 марта 2002 г. 12:58

Вторичный пробой вызывается не столько температурой (температура только понижает энергию пробоя), сколько принципами работы транзистора, в FET выключение происходит ПО ВСЕЙ поверхности канала, шнурование тока, приводящее к ВП, там возможно только при выраженных дефектах производства или у некоторых типах FET (БСИТ, например, и то не уверен). В MOSFET же получить смерть (КЗ С-И при живом затворе, т.е. не электрический пробой) за один импульс... не знаю.
А всё о чём идёт разговор, укладывается в обычный тепловой пробой.

(Пытаюсь подчеркнуть: вторичный пробой можно получить за 1! импульс,работая далеко от мах напряжений и токов!)