[an error occurred while processing this directive]
Вопрос для умных! по физике MOSFETов.
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

миниатюрный аудио-видеорекордер mAVR

Отправлено Тупой 11 января 2005 г. 10:04

Есть много-много нижних ключей на N-MOSFET, напряжение 20В, ток макс. 10А, время нарастания/спада 1..5 мкс, частота PWM 20 кГц. Необходимо дешево, без потерь мощности и по возможности точно измерять ток через них. (Есть также много дешевых входов АЦП 12бит / 2 мкс.)

Очевидно, что достигнуть приемлемой точности вычисления тока через измерение падения напряжения на открытом ключе можно только зная температуру кристалла MOSFETа в данный момент.

Соответственно, вопрос заключается в том, как эту температуру измерить.

Вот известные мне методы, неработоспособные по какой-либо причине:

1. Измерения падения на прямосмещенном диоде MOSFETа - не годится т.к. ключ нижний и нагрузка может быть чисто резистивной
2. Измерение порога - неясно, как измерить
3. Измерение напряжения Миллера при переключении - сильно зависит от тока через ключ - все опять упирается в ток
4. Измерение напряжения пробоя MOSFETa - не всегда возможно т.к. нагрузка может быть чисто резистивной, кроме того, неясно как в таком случае реализовать active clamp (придется делать его отключаемым).

Вопрос - какие есть еще легко измеряемые в схеме нижнего ключа параметры MOSFETa, из которых можно получить температуру?

Спасибо заранее.

Составить ответ  |||  Конференция  |||  Архив

Ответы


Отправка ответа

Имя (обязательно): 
Пароль: 
E-mail: 

Тема (обязательно):
Сообщение:

Ссылка на URL: 
Название ссылки: 

URL изображения: 


Перейти к списку ответов  |||  Конференция  |||  Архив  |||  Главная страница  |||  Содержание  |||  Без кадра

E-mail: info@telesys.ru