[an error occurred while processing this directive]
|
для "обычных" плат локализованные мощности до 2-3 ватт вполне спокойно уводятся от компонентов. Температура тушки получается +10/12С по отношению к среде. Только там есть свои "фичи" :) Под компонентом делается полигон равный площади чипа и в центре ставится метализированное отверстие диаметром около 3мм с подключением метализации к внутреннему теплоотводящему слою (обычно это chassis gnd) и внешнему полигону. После пайки в это отверстие с помощью шприца инжектируется теплопроводящяя паста которая заполняет зазор между платой и компонентом. Этот способ вполне нормально работает на обычной фольге в 35 мкм. Дырки и паста нужны для чипов с выделеним тепла больше 150-200mW.
PS. Я уже трижды покупал по ящику ловенбрау и трижды пришлось его самому изничтоживать. Всё, больше не буду. Надо было вовремя долг забирать :)
E-mail: info@telesys.ru