Я это к тому, что в отличии от МОП, где диод преодпределен самой технологией изготовления, в IGBT его можно и не делать. («Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

[an error occurred while processing this directive] Я это к тому, что в отличии от МОП, где диод преодпределен самой технологией изготовления, в IGBT его можно и не делать.

(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

Отправлено Готмог 30 марта 2006 г. 12:19
В ответ на: Если не верится посмотри pdf. Понаятно, что при изготовлении таких транзисторов не получается паразитной биполярной гадости. Я понимаю, что трудно применять 1200В транзисторы в 5В цепи, но это уже психология. отправлено Готмог 30 марта 2006 г. 12:13

Составить ответ ||| Конференция ||| Архив

Ответы

В технологии производства IGBT не спец, но терзают смутные сомнения.. — -=Shura=- (30.03.2006 12:27 217.21.50.43, пустое)

Перейти к списку ответов ||| Конференция ||| Архив ||| Главная страница ||| Содержание

E-mail: info@telesys.ru