Отправлено Неизвестный 28 мая 2006 г. 13:13 В ответ на: Ответ: Что за сердечник? Обмотки - тоесть первичка верхний и близкий к верхнему это превичка, нижний и близкий к нижнему - вторичка? отправлено Artem-1.6E-19 28 мая 2006 г. 08:32

Первичка, первая половина: 2 витка в верхнем слое, один в нижнем.
Первичка, вторая половина: 2 витка в нижнем слое, один в верхнем.
Вторичка, первая половина: 2 витка в верхнем внутреннем слое.
Вторичка, вторая половина: 2 витка в нижнем внутреннем слое.
Толщина диэлектрика FR4 между внутренними слоями 0.2мм,
мажду внутренними и внешними 2*0.2мм
Разводка внутренних слоёв (вторичка) отстаёт на 0.7мм от краёв вырезов под сердечник.
Расстояние от вторички (коммутационные переходные отверстия) до первички на внешних слоях 5мм (требования для медоборудования).

• Ответ: Тоесть между обмотками 0.2мм получается. тогда индуктивность рассеивания малая и получилось. — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 13:31 222.101.200.198, 49 байт)
  • Между обмотками (первичка-вторичка) 0.4мм по толщине диэлектрика, малая индуктивность рассеивания (индуктивность первички, при замкнутой вторичке) обусловлена самой конструкцией планарного транса. Если бы не требование гальваноразвязки, я бы довёл её почти до нуля — Неизвестный   (28.05.2006 13:36 83.237.171.45, пустое)
    • Ответ: Странная печатная плата. — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 13:42 222.101.200.198, пустое)
      • Чё там странного? Сэндвич: фольга 35мкм, FR4 0.4мм, фольга 35мкм, FR4 0.2мм, фольга 35мкм, FR4 0.4мм, фольга 35мкм. Обычная четырёхслойка с усиленной изоляцией между внешними и внутренними слоями. — Неизвестный   (28.05.2006 13:50 83.237.171.45, пустое)
        • Ответ: Обычно делают чтобы 50 Ом было. — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 13:53 222.101.200.198, пустое)
          • Да ну? DC-DC на 50 Ом - суперспецизделие :) — Неизвестный   (28.05.2006 14:50 83.237.171.45, пустое)
            • Ответ: Шутки шутками, но сейчас уже ДС-ДС на мегагерцах работают. Еще немного и руление затворами будет выполнятся диф. парами и выравниваться по длинне. . — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 15:26 222.101.200.198, пустое)
              • Избавьте меня от лекций. Я знаю, как они работают, сам их делаю. Высокие частоты преобразования не связаны с согласованием импедансов. На любых частотах. — Неизвестный   (28.05.2006 15:42 83.237.171.45, пустое)
                • Ответ: А если MOSFET будет открываться сначала о фронта импульса, а потом еще несколько раз, от переотраженной волны? — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 15:43 222.101.200.198, пустое)
                  • Каждому овощу (MOSFETу) свой фрукт (схемотехника). Повторю: схемотехника ВЧ усилителей не имеет связи с таковой в преобразователях энергии. Разве что в филосовском смысле. — Неизвестный   (28.05.2006 15:52 83.237.171.45, пустое)
                    • Ответ: Угу. Когда-то цифровые системы не имели ничего общего с СВЧ. — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 15:58 222.101.200.198, пустое)
                      • Они и сейчас не имеют. Внутри кристалла все компоненты сосредоточенные, разве что принимаются меры для фазового согласования сигналов при трансляции их через весь кристалл. Это снаружи требуются согласования. Общая тенденция - миниатюризация. С повышением частоты уменьшаются проектные нормы. Теперь и ширпотреб СВЧ - уже набор сосредоточенных компонентов. Роль схемотехники с распределёнными пораметрами очень узка и специфична. На этом ветку прикрываю: корневое сообщение было о планарном трансфор — Неизвестный   (28.05.2006 16:25 83.237.171.45, пустое)
                        • Ответ: Ок. В принципе ВЧ, это хитрая система, где все колеблется на частоте резонанса всей системы. В цифровой это не так. — Artem-1.6E-19   (28.05.2006 16:38 222.101.200.198, 110 байт)

E-mail: info@telesys.ru