[an error occurred while processing this directive]
насыщенный биполярный транзистор это не п-н переход. См. "режим двойной инжекции"
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
миниатюрный аудио-видеорекордер mAVR

Отправлено Dimitris 02 июня 2006 г. 17:52
В ответ на: Посмотрел бы я на p-n переход с насыщением в несколько десятков милливольт... Впрочем, всё равно не устроит - ток гасить надо полностью. отправлено <font color=gray>Ку!</font> 02 июня 2006 г. 16:38


Составить ответ  |||  Конференция  |||  Архив

Ответы

Отправка ответа

Имя (обязательно): 
Пароль: 
E-mail: 
NoIX ключ :  Запомнить

Тема (обязательно):
Сообщение:

Ссылка на URL: 
Название ссылки: 

URL изображения: 

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru
Перейти к списку ответов  |||  Конференция  |||  Архив  |||  Главная страница  |||  Содержание

E-mail: info@telesys.ru