bat15? (+) («Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры

| Карта сайта | Пишите нам | В избранное

Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:jobsmp@pochta.ru

Телесистемы | Электроника | Конференция «Аналоговая схемотехника»

bat15? (+)

Отправлено SM 13 декабря 2006 г. 01:54
В ответ на: Порекомендуйте недорогой и популярный импортный детекторный/смесительный диод,, способный на частоте 2,5ГГц работать, типа bat17.(+) отправлено bp 12 декабря 2006 г. 16:22


.MODEL BAT14-098/SIE D(Is=77p N=1.027 Rs=4 Xti=1.8 Eg=.68 Cjo=270f M=.078
+ Vj=.25 Fc=.5 Bv=4 Ibv=5u Tt=25p)
* Case SOD123, single diode 
* Add R=3.3MEG parallel for better IR and R0 simulation
* 29.11.1994 SIEMENS HL EH PD1 Kurth
*****************************************************************
.MODEL BAT15-099R/SIE D(Is=150n N=1.04 Rs=2.6 Xti=1.8 Eg=.68 Cjo=365f M=.061
+ Vj=.12 Fc=.5 Bv=4 Ibv=10u Tt=25p)
* Case SOT143, 4-diode-chip-ring 1-3-2-4-1, I/O connection 1-2 / 4-3 
* Data for each diode, add R=1.5MEG parallel to each diode for better IR and
* R0 simulation
* 28.10.1994 SIEMENS HL EH PD1 Kurth
*****************************************************************
.MODEL BAT15-03W/SIE D(Is=130n N=1.08 Rs=4.5 Xti=1.8 Eg=.68 Cjo=260f M=.047
+ Vj=.11 Fc=.5 Bv=4 Ibv=10u Tt=25p)
* Case SOD323, single diode
* Add R=3.3MEG parallel for better IR and R0 simulation
* 10.11.1994 SIEMENS HL EH PD1 Kurth
*****************************************************************
.MODEL BAT15-099/SIE D(Is=130n N=1.08 Rs=4.5 Xti=1.8 Eg=.68 Cjo=285f M=.043
+ Vj=.11 Fc=.5 Bv=4 Ibv=10u Tt=25p)
* Case SOT143, 2 diodes, connection pins 4-1 / 2-3
* Data for each diode, add R=3.3MEG parallel to each diode for better IR and
* R0 simulation
* 10.11.1994 SIEMENS HL EH PD1 Kurth
*****************************************************************
.MODEL BAT15-098/SIE D(Is=130n N=1.08 Rs=4.5 Xti=1.8 Eg=.68 Cjo=285f M=.043
+ Vj=.11 Fc=.5 Bv=4 Ibv=10u Tt=25p)
* Case SOD123, single diode 
* Add R=3.3MEG parallel for better IR and R0 simulation
* 10.11.1994 SIEMENS HL EH PD1 Kurth
*****************************************************************
.MODEL BAT15-04/SIE D(Is=130n N=1.08 Rs=4.5 Xti=1.8 Eg=.68 Cjo=260f M=.047
+ Vj=.11 Fc=.5 Bv=4 Ibv=10u Tt=25p)
* Case SOT23, 2 diodes, connection pins 1-3 / 3-2
* Data for each diode, add R=3.3MEG parallel to each diode for better IR and
* R0 simulation
* 10.11.1994 SIEMENS HL EH PD1 Kurth
*****************************************************************

Составить ответ | Вернуться на конференцию

Ответы

Да, спасибо, этот получше 17-го судя по хар-кам. — bp (13.12.2006 12:57 81.3.189.234, пустое)