Телесистемы
 Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры
На главную   | Карта сайта | Пишите нам | В избранное
Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:jobsmp@pochta.ru

Телесистемы | Электроника | Конференция «Аналоговая схемотехника»

Ответ:

Отправлено Artem-1.6E-19 13 марта 2008 г. 12:54
В ответ на: Ответ: неуловил мысль. Есть же потактное ограничение тока, в истоках 0,02о...{+} отправлено <font color=gray>SemenS</font> 13 марта 2008 г. 12:19

Страница 23.
Rated output power; PO = 200W.
Следующая страница.

Power Mos
The Mosfet breakdown voltage is imposed; Bvdss ≥ Vout + Dvout + margin = 500V. The Rdson is selected taking
in to account the conduction power dissipation.
The formula for calculation is: Pon_max = Iqrms
2 · Rdon
i.e. considering Ron(t) = 0.7Ω the Pon_max = 2.15 · 0.7 = 3.3W.
Adding the switching (and the capacitive) losses we can estimate 8W to 10W total power dissipation.

Обсуждаемый мосфет - 0.22Ома.
И нафига их два ставить?


Составить ответ | Вернуться на конференцию

Ответы


Отправка ответа
Имя*: 
Пароль: 
E-mail: 
Тема*:

Сообщение:

Ссылка на URL: 
URL изображения: 

если вы незарегистрированный на форуме пользователь, то
для успешного добавления сообщения заполните поле, как указано ниже:
введите число 234:

Перейти к списку ответов | Конференция | Раздел "Электроника" | Главная страница | Карта сайта

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru
 
Web telesys.ru