Для фильтрации ШИМа с низкой частотой несущей нужен ФНЧ 3-го порядка.
На этапе планирования казалось, что достаточно будет простого ФНЧ второго порядка по схеме Саллена-Кея, но сейчас его не хватает.
Традиционно в фильтрах третьего порядка очередность такая: сначала секция ФНЧ первого порядка (с ОУ-повторителем, для согласования секций), затем секция ФНЧ второго порядка с увеличением добротности.
При таком расладе придется ставить еще один ОУ.
Если порядок нарушить, т.е. сначала фильтр 2-го порядка, затем первого, то насколько это криминально будет? Номиналы резисторов и конденсаторов секций при этом изменяются? При такой схеме дополнительный ОУ ставить не надо, т.к. в последующем каскаде есть ОУ с неинвертирующим входом. Перед ним достаточно будет добавить RC - цепь.
Если порядок менять нельзя тогда вообще сделаю ФНЧ 4-го порядка.