На пальцах там все вроде просто. Один захваченный фотон выбивает из валентной зоны один электрон, который с большой вероятностью сваливается на катод. Если некуда течь току - возникает разность потенциалов, которая приводит к обычному противотоку через переход. Но вот вероятность захвата фотона в нужной зоне и вероятность сваливания электрона в нужном направлении вместо рекомбинации с дыркой все-таки зависят от температуры и от приложенного обратного напряжения. PiN отличается от обычных фотодиодов тем что у него область в кристалле для захвата фотонов широкая. Впрочем я их температурные коэффициенты не исследовал, но мне кажется странным обсуждаемое отсутствие температурной зависимости при приложенном обратном напряжении при наличии такой зависимости при нулевом.