[an error occurred while processing this directive]
|
Сейчас эксперементирую с полумостом на MOS FETах. Напряжение питания 300В. Транзисторами полумоста управляю с выхода ШИМ-модулятора процессора через оптроны 6N136+инвертор+драйвер. Светодиоды оптронов подключены к выходу ШИМ-модулятора через резисторы. Один на землю, другой на +5В - этим достигается инверсия сигналов управления половинками полумоста. Т.е. специальных мер по генерации dead time не предпринято.
Сквозных токов через мост не замечено. Но мучают сомнения по поводу их возникновения. Частота ШИМ 20кГц.
E-mail: info@telesys.ru