[an error occurred while processing this directive]
Как раз IRF отмечает, что у них транзисторы не на одном кристалле,а multiple die.
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
Отправлено
-=Shura=-
17 декабря 2002 г. 15:22
В ответ на:
На кристалле есть еще защитные и технологические диоды, через которые и может быть утечка. Могут быть компоненты в "карманах" из окиси кремния. Напряжение пробоя и диодов и оксидного изолятора - около 50 В. Может что то и новое появилось.
отправлено L.A. 17 декабря 2002 г. 14:47
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Не верю
—
L.A.
(17.12.2002 17:12,
пустое
)
А я не сильно верю, что на одном кристалле можно сделать 2 транзистора с существенно разным Junction-to-Ambient (как у Vishay)
—
-=Shura=-
(17.12.2002 18:19,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
|||
Без кадра
E-mail:
info@telesys.ru