И канал ЕСТЬ ВСЕГДА, не зависимо от того, чем он от чего изолирован. И он всегда либо обедненный, либо обогащенный (при нулевом потенциале на затворе). И зависит это только от процесса изготовления транзистора. («Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

[an error occurred while processing this directive] И канал ЕСТЬ ВСЕГДА, не зависимо от того, чем он от чего изолирован. И он всегда либо обедненный, либо обогащенный (при нулевом потенциале на затворе). И зависит это только от процесса изготовления транзистора.

(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)

Отправлено SM 06 февраля 2003 г. 21:48
В ответ на: Структура и легирование канала не зависит от того, какая изоляция применена между затвором и каналом. Другой вопрос - имеет ли смысл применить определенное легирование (обеднение или обогащение) при изоляции p-n переходом. Посмотрите Хоровица с Хиллом, там очень доходчиво и понятно это объясняется. отправлено SM 06 февраля 2003 г. 21:45

Составить ответ ||| Конференция ||| Архив

Ответы

Вы хотите сказать, что можно сделать ПТ с упр. p-n переходом у которого проходная характеристика будет лежать в первом квадранте? — Старченко Иван (06.02.2003 21:55, пустое)
- Посмотрите на БСИТ (в гугле находил очень подробную инфу по ним) — mse (07.02.2003 10:26, пустое)
- Технологически - да и легко. Но не имеет смысла. Кстати не следует забывать про довольно полезные режимы работы с прямосмещенным переходом со смещениями, не открывающими переход. — SM (06.02.2003 21:58, пустое)
- кончно исключая работу при втекающих токах затвора — Старченко Иван (06.02.2003 21:57, пустое)

Перейти к списку ответов ||| Конференция ||| Архив ||| Главная страница ||| Содержание ||| Без кадра

E-mail: info@telesys.ru

Ответы

Отправка ответа