|
|
Следовательно, на первой странице явная ошибка.
На стр 3. сказано:
-----------------------------
...Но это достигается
использованием двух последовательно включенных силовых ключей . И если при работе от высокого входного
напряжения (, в сетевых блоках ) с этим можно мириться...
-----------------------------
Не согласен со словом "мириться". Скажем, при D=0.5 для полумоста нужно два 400В транзистора, а для одноключевого с Active Clamp два 800В. Надо сравнить сопротивление двух ключей 400В и одного 800В с тем же суммарным зарядом переключения. Вероятно, сравнение будет не в пользу последнего.
При низких напряжениях питания, да, приходится мириться.
Еще на 2 и 3 странице говорится о "вредности" межобмоточной емкости именно для активного демпфирования. Неясна роль этой емкости. ИМХО, этот вопрос нужно "разъяснить" (поскольку о ней упоминается по всему тексту статьи).
E-mail: 
info@telesys.ru
