Отправлено -=ВН=- 23 ноября 2004 г. 16:15 В ответ на: Огромное спасибо. Это ваш собственный опыт или расшифровка даташита? отправлено Serega Doc 23 ноября 2004 г. 15:38

Ну перед рефрешем должна быть precharge, деактивирующуя все банки памяти. А в рефреше регенерируется соотв. строка из всех банков.
Вы самсунговскую память используете, вроде бы. У самсунга даташиты короткие чрезвычайно. Когда-то у него был документ, точное название не помню, но что-то типа device operation. И еще один - timing diagram, опять же не ручаюсь за точность. В них добавочная информация. Или скачайте даташит на какую-нибудь sdram микроновскую (www.micron.com) или nec-кую. У последнего то ли дочерняя фирма, то ли еще что, занимающаяся памятью, обозвалась elpida, кеажется. В общем у них более подробные даташиты. Думаю много вопросов исчезнет.

• Да-да, контора Elpida. Документик называется HOW TO USE SDRAM. + По ссылке перевод микроновской доки. — P_Andrey   (23.11.2004 16:32, пустое, ссылка)
• Да-да, контора Elpida. Документик называется HOW TO USE SDRAM. + По ссылке перевод микроновской доки. — P_Andrey   (23.11.2004 16:31, пустое)
• А интерфейс у SDRAM микросхем что у всех одинаков? — Serega Doc   (23.11.2004 16:24, пустое)
  • Да. У обычных SDRAM. У DDR он другой, но тоже одинаковый:-). — -=ВН=-   (23.11.2004 16:27, пустое)
    • Да у DDR похож очень, DQS ещё добавились, а так тож самое. (-) — Серокой   (23.11.2004 16:42, пустое)