зачем выбрано DDR? Почему не ставится DDRII? они очень похожи, а с частотами дело обстоит получше.
Второй вопрос, с симуляцией дело как обстоит? Платы будут где делаться? Нормированный импеданс платы производитель гарантирует?
Есть опыт с раскруткой памяти до DDR 800, много интересных эффектов получалось. Схематика и топология для эмбеддед памяти очень сильно отличается от JEDEC рекомендаций.
По поводу источника для VTT - наиболее успешно гоняем LP2995 от National semiconductors. Для встроенной памяти end termination для данных не нужны, а с адресом этот чип справляется. Reference voltage прощк всего получать с резисторного делителя из основного напряжения.
Если все таки решитесь идти с DDR - питание 2.5 и 2.6 надо обьединять. Посмотрите допуски по питанию, для DDR это 2.6 +-0.1, т.е. от 2.5 до 2.7. Таже история будет и для xilinxа. Можно выбрать напряжение, удовлетворяющее обоим параметрам.
И еще вопрос, чем обоснован выбор 6-ти слойки? на 6-ти слойке чего то развести - проще повеситься. (я говорю, чтобы работало, а не чего-то вообще ). 6-ти слойные платы нуждаются в полной симуляции по Signal integrity и power integrity. Разрывы в reference plane дают сильные скачки импеданса в сигнальных цепях, все начинает звенеть. Если нет нормальных симуляторов, не стоит идти меньше 8-ми слойной платы, причем со стакапом:
тор
power
GND
signal
signal
power
GND
bottom
слои power-gnd создают конденсатор с рабочей частотой вплоть до гигагерц, что сильно облегчает нормальную запитку. И наличие GND слоя рядом с POWER уменьшает скачек импеданса для сигнального слоя, пересекающего разрыв в питании.