Телесистемы
 Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры
На главную   | Карта сайта | Пишите нам | В избранное
Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:jobsmp@pochta.ru

Телесистемы | Электроника | Конференция «Программируемые логические схемы и их применение»

Не понял одного момента, (+)

Отправлено alexandergda 17 августа 2007 г. 04:17
В ответ на: XC3S500E и MT46V32M16-(DDR400)-FG320, Питание микросхем отправлено <font color=gray>Panych</font> 09 августа 2007 г. 11:34

зачем выбрано DDR? Почему не ставится DDRII? они очень похожи, а с частотами дело обстоит получше.

Второй вопрос, с симуляцией дело как обстоит? Платы будут где делаться? Нормированный импеданс платы производитель гарантирует?

Есть опыт с раскруткой памяти до DDR 800, много интересных эффектов получалось. Схематика и топология для эмбеддед памяти очень сильно отличается от JEDEC рекомендаций.

По поводу источника для VTT - наиболее успешно гоняем LP2995 от National semiconductors. Для встроенной памяти end termination для данных не нужны, а с адресом этот чип справляется. Reference voltage прощк всего получать с резисторного делителя из основного напряжения.

Если все таки решитесь идти с DDR - питание 2.5 и 2.6 надо обьединять. Посмотрите допуски по питанию, для DDR это 2.6 +-0.1, т.е. от 2.5 до 2.7. Таже история будет и для xilinxа. Можно выбрать напряжение, удовлетворяющее обоим параметрам.

И еще вопрос, чем обоснован выбор 6-ти слойки? на 6-ти слойке чего то развести - проще повеситься. (я говорю, чтобы работало, а не чего-то вообще ). 6-ти слойные платы нуждаются в полной симуляции по Signal integrity и power integrity. Разрывы в reference plane дают сильные скачки импеданса в сигнальных цепях, все начинает звенеть. Если нет нормальных симуляторов, не стоит идти меньше 8-ми слойной платы, причем со стакапом:

тор
power
GND
signal
signal
power
GND
bottom

слои power-gnd создают конденсатор с рабочей частотой вплоть до гигагерц, что сильно облегчает нормальную запитку. И наличие GND слоя рядом с POWER уменьшает скачек импеданса для сигнального слоя, пересекающего разрыв в питании.



Составить ответ | Вернуться на конференцию

Ответы


Отправка ответа
Имя*: 
Пароль: 
E-mail: 
Тема*:

Сообщение:

Ссылка на URL: 
URL изображения: 

если вы незарегистрированный на форуме пользователь, то
для успешного добавления сообщения заполните поле, как указано ниже:
введите число 89:

Перейти к списку ответов | Конференция | Раздел "Электроника" | Главная страница | Карта сайта

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru
 
Web telesys.ru