Отправлено vitus_strom 05 ноября 2003 г. 11:50 В ответ на: Тогда поясните мне несмышленному, как при меньших размерах транзистора, их большем числе получается , что транзистор/дорожку тяжелее поразить радиацией? отправлено _aquarius_ 05 ноября 2003 г. 11:20

Если на пальцах, то примерно так. Структура микросхемы есть не что иное как зоны монокристаллического кремния (это чистый кремний который вдобавок еще имеет определённую структуру) с различными дефектами структуры (дефект структуры: примесь, отсутствие атома кремния в месте, где это подразумевает кристаллическая структура, или наличие атома кремния или чего либо другого, где криссталлическая структура его не подразумевает), соединенные металлизацией. Когда ты стреляешь высокоэнергетическим потоком по микросхеме, примеси приходят в движение (идет деградация структуры, правда их концентрация не меняется) и создаются новые (смещения и дислокации). Если у тебя расстояние от одной области с примесями до другой мало то вероятность того, что вновь созданные примеси аннигилируют больше чем, в том случае когда расстояние между примесными зонами болше.

• Еще немного, пожалуйста: ведь число зон с примесями увеличилось(микруха пообъемнее стала), как тогда? справедливо ли сказанное вами для жестких излучений? — _aquarius_   (05.11.2003 12:36, пустое)
  • Ответ: (+) — vitus_strom   (05.11.2003 13:02, 483 байт)
    • Я имею в виду, что вышесказанное вами справедливо при резком возрастании интенсивности излучения по сравнению с фоновым? — _aquarius_   (05.11.2003 13:09, пустое)
      • Ответ: Это справедливо при любом потоке энергии как фоновым так и резким как вы говорите — vitus_strom   (05.11.2003 14:32, пустое)