Отправлено Артем 10 октября 2005 г. 19:14

Хочу прицепить эту флешку к 51-ому
I/O.0-I/O.7 - на порт данных
RE - RD строб чтения
WE - WR строб записи
CE, ALE, CLE, - на разные адресные линии интерфейса внешней памяти, таким образом различные комбинации на этих линиях будут адресовать порт Данных, порт Адреса и Команд.

Согласно описанию на флешку линии ALE (выбор адреса) и CLE (выбор команды) должны устанавливаться в активный-высокий уровень во время передачи адреса (ALE-hi, CLE-lo) или команды (ALE-lo, CLE-hi), во всех остальных случаях эти линии надо удерживать в низком (неактивном уровне). Естественно операции записи адреса и команды происходят при активном уровне на лини CE (выбор чипа, активный уровень - низкий)

Собственно меня интересует ситуация когда микросхема НЕ выбрана и на линии СЕ установлен высокий-неактивный уровень, критичы в этом случае состояния линий ALE и CLE ??? Четкого ответа в описании не нашел.

DataSheet на NAND Flash http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/NAND/128Mbit/K9F2808U0C/ds_k9f2808u0c_rev29.pdf

• Data Sheet NAND Flash