Отправлено IgorK 10 ноября 2001 г. 18:08 В ответ на: Спасибо... И можно маленькое уточнение? (+) отправлено AndyBig 10 ноября 2001 г. 16:30

Не совсем так. Организация с 'банками' характерна для SDRAM (например Micron MT48LC4M16), в DRAM такого не встречал. Типичная DRAM организуется в виде одного банка. Например, 1024 строки (row) на 1024 колонки (column), с адресуемым элементом 16 бит (DRAM Texas Instrum. TMS418160). Емкость в примере - 1Мбайт x 16. 20-разр. адрес последовательно по 10 бит записывается под RAS# и под CAS#, адресуя элемент памяти.
Используя строковые обращения (Fast Page Mode) можно один раз передать адрес строки (row), а затем обращаться к элементам внутри строки, удерживая RAS# активным (низким), формируя перепады CAS# и подставляя под их спады адреса 'column'.
--IgorK

P.S. RAS=Row Address Strobe, CAS=Column Address Strobe.

• Большое спасибо за информацию! — AndyBig   (13.11.2001 06:51, пустое)