Отправлено Xan 24 декабря 2001 г. 10:02 В ответ на: Температура вырождения кремния 230 С отправлено AK 23 декабря 2001 г. 02:22

В доке DS11008I-page 4 написано
The Retention Bake Test is performed to accelerate data loss on floating gate devices. The test consists of unbiased baking at elevated temperature. Usually the test lasts for 1,000 hours at +150°C. The failure mechanism that is accelerated is charge leakage from a stored element.

В другом доке DS00047H-page 4 написано
In order to evaluate the level of this type of failure, devices are subjected to a 150°C bake. This bake accelerates charge loss in the memory cell and 168 hours at 150°C is equivalent to greater than 250 years in the field at 55°C.

Это значит, 150-55=95 градусов дают изменение скорости в 53 раза. Поскольку зависимость экспоненцианая, 260-150=110 градусов дадут изменение скорости в 100 раз. Т.е., 1000 часов при 150 эквивалентно 10 часам при 260. А в склерозе написано 5 часов = примерно соответствует. К "температуре вырождения кремния" это не имеет прямого отношения, поскольку утечка через диэлектрик. И скорее всего это тестируют пластины (до корпусирования).

При температуре 180 градусов процесс должен идти всего в 4 раза быстрее, чем при 150. Т.е., чипы обязаны ВСЁ ПОМНИТЬ после выдержки 250 часов. (Или это они должны всё забыть? 8-[]) Отношение доз до потери первого бита и до полного стирания всех бит примерно 1:4. Значит выдержка должа быть больше 250*4=1000 часов.
Ну ладно, советские быстро стёрлись, но с пиками - совершенно не понятно. Фирма врёт?

• Однако не только глюк, но и маразм. Совсем арифметику забыл :-( — Xan   (24.12.2001 15:03, 397 байт)
• Ответ: — Vallav   (24.12.2001 14:17, 113 байт)