дык буквовки я разбираю, и даже цифирки. однако не представляю техпроцеса, при котором толщина слоя диэлектрика (или окисла) может в несколько раз отличаться в пределах кристалла. скорее ресурс флеши умышленно занижают(в расчете на ячейку), имея ввиду блочную запись..