[an error occurred while processing this directive]
[an error occurred while processing this directive]
|
Принцип - один, накопление заряда на границе Si3N4 и SiO2 в подзатворной области транзистора. Но разная технология производства. Благодаря этому Flash гораздо дешевле EEPROM ( по крайней мере с параллельным интерфейсом ), быстрее пишется ( ради чего и была придумана и названа Флэшью ) и менее "износостойкая".
E-mail: info@telesys.ru