Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры
|
Карта сайта
|
Пишите нам
|
В избранное
Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:
jobsmp@pochta.ru
Телесистемы
|
Электроника
|
Конференция «Микроконтроллеры и их применение»
Значит C*U плюс что-то ещё.
Отправлено
Шунт_гороховый
23 декабря 2009, г. 21:29
В ответ на:
Что означает "всасывает на определённую величину больше заряда, чем положено нормальному конденсатору"?
отправлено пользователем
rezident
23 декабря 2009, г. 20:13
Составить ответ
|
Вернуться на конференцию.
Ответы
C*U это для приблизительного расчета. И у MOSFET и у IGBT есть участок на характеристике Qg vs Vgs с "полкой", где заряд изменяется (ток в затвор течётъ), а напряжение на ём не растётъ. Поэтому и приводят в даташите параметр Qg, характеризующий полный заряда завора. Вы это имели в виду?
-
rezident
(23.12.2009, 22:00:49
88.81.213.225
,
пустое
,
картинка
)
Угу. Видно, что этот довесок больше, чем само C*U
-
Шунт_гороховый
(23.12.2009, 22:11:59
78.106.95.28
, 105 байт)
Это из первого попавшегося под руку даташита. Для IRF640 вроде бы.
-
rezident
(23.12.2009, 22:56:29
77.43.221.61
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя*:
Пароль:
E-mail:
Тема*:
Сообщение:
Ссылка на URL:
URL изображения:
если вы незарегистрированный на форуме пользователь, то
для успешного добавления сообщения заполните поле, как указано ниже:
умножьте 2 на три:
Перейти к списку ответов
|
Конференция
|
Раздел "Электроника"
|
Главная страница
|
Карта сайта
Web
telesys.ru