1) Область называется "Production Signature Row", но в описание команд контроллера энергонезависимой памяти самое похожее - "Read Calibration Row". Бог, с ним, что там не только калибровочные данные, но и тип кристалла и серийный номер..
2) Для команды "Read Calibration Row" про адрес сказано только это :"Load the Z-pointer with the byte address to read". 16-битный регистр, чтобы адресовать 64 байта ? Зачем тогда отдельная команда? Нелогично. Есть карта памяти для ВНЕШНЕГО (PDI) программирования. Там прямо указан адрес "Production Signature Row", но он 24-х разрядный. Т.е. Понадобиться ещё и RAMPZ. Но об использованиии RAMPZ не упоминается. И опять же не логично использовать такую тучу операндо при наличи отдельной команды.

Можно, конечно, выяснять это путём экспериментов... Не хотелось бы...
Может кто-то уже разобрался? Как правильно?