|
|
Я не совсем понял вопрос. Пусть, например, есть ИС памяти со входом CS (выбор кристалла). И пусть этот вход имеет активный высокий уровень (ИС выбрана при лог. 1). Такое решение даст плохую помехоустойчивость - вых. сопротивление большинства вентилей существенно выше, когда они выдают на выходе лог.1 (по сравнению с выдачей нуля). Таким образом, достаточно даже маломощной помехи, чтобы сигнал на входе был искажен. Если же активным уровнем явл. лог.0, помеха должна иметь существенно большую мощность.
Вторая причина - часто одной и той же линией должны управлять несколько ИС, что невозможно осуществить при ее активном высоком уровне.
Может, немного коряво написал, но суть, думаю, понятна.
E-mail: 
info@telesys.ru
