Таблицу плохих блоков не надо создавать ни в EEPROM, ни в самой flash (+).
(«Телесистемы»: Конференция «Микроконтроллеры и их применение»)

миниатюрный аудио-видеорекордер mAVR

Отправлено adw 18 августа 2004 г. 10:19
В ответ на: Таблицу плохих блоков в самсунговской NAND-флэш хочу соорудить. Это одо измерение, по-моему. На языке С. Нужен хоть какой-нибудь примерчик, для затравки пожалуйста... отправлено alpha7 18 августа 2004 г. 07:15

Поскольку информация о плохих блоках хранится в самих плохих блоках (как ни странно), и в эти плохие блоки все равно ничего нельзя записывать, то построить таблицу нужно в ОЗУ контроллера при инициализации.
Пример для K9F2808U0A.
Создается глобальный массив:
unsigned int flash_bb[20];
Однократно вызывается функция, которая считывает из flash информацию о плохих блоках и заполняет этот массив их порядковыми номерами. Всего их не может быть больше 20, если меньше, то оставшиеся элементы массива остаются нулевыми. Далее, в процессе работы, перед обращением к flash, плохие блоки обходятся по таблице.

Составить ответ  |||  Конференция  |||  Архив

Ответы



Перейти к списку ответов  |||  Конференция  |||  Архив  |||  Главная страница  |||  Содержание  |||  Без кадра

E-mail: info@telesys.ru