Отправлено mse 16 марта 2002 г. 15:35 В ответ на: В принципе, любой сильно высоковольтный полупроводниковый прибор страдает вторичным пробоем. отправлено Aleksei Pogorily 15 марта 2002 г. 21:06

В биполярном происходит стягивание тока К-Э в локальную область Б (обычно при выкл, когда процесс выключения неравномерно распределён по базе и при индукт. нагрузке, которая является источником энергии: "Энергия вторичного пробоя" нормируется в даташитах), где плотности тока намного превышают средние плотности в Б, где и происходит проплавление К-Э. Первичный половой признак вторичного пробоя - К-Э звонится накоротко, но БЭ и КБ нормально.Там есть ещё несколько тонких механизмов, но учился уже давно, всю науку забыл...:О)
А если убой в линейном режиме, или в выкл состоянии, то это уже не вторичный.
А для FET теорию забыл напрочь...:О(

• "если убой в линейном режиме, то это уже не вторичный" - заблуждение! У меня режим был именно линейный, и на всех классических картинках SOA для биполярников есть область вторичного пробоя именно на DC. — Shura   (18.03.2002 10:49, пустое)
  • шибко не согласен, однако |o) — mse   (18.03.2002 13:42, 249 байт)
    • Ты чё, дружище? Посмотри там внимательно на график(Figure 12), самая нижняя линия это DC, она же подписана! — Shura   (18.03.2002 13:54, пустое, ссылка)
      • .... — mse   (18.03.2002 14:22, 594 байт)
        • Пардон, это линия ограничения тока через ноги (прерывистая), а в остальном, я считаю, у меня правильно. — mse   (18.03.2002 14:25, пустое)
          • Блин, нет ток через ноги прерывистая по другому: (пельмени разлепить...) :О) — mse   (18.03.2002 14:27, пустое)