Отправлено Aleksei Pogorily 18 марта 2002 г. 12:58 В ответ на: Ответ: отправлено Vallav 16 марта 2002 г. 12:42

Ты прав. Для развития вторичного пробоя в FET нужно превышение рабочей температуры. Но совершенно не обязательно, чтобы оно было длительное и по всему кристаллу. Сойдет кратковременное (микросекунды), а я и сам считал, и насмотрелся на расчеты, как в импульсном режиме при среднем превышении температуры в 20 градусов мгновенное бывает 100 (совершенно из-за кратковременности необнаружимое "снаружи"). И насчет местного перегрева - тоже годится, хотя это бывает в тех FET, о которых не написано, что они "fully avalance tested", у таких лавинный пробой при срезании выброса вполне может вызвать точечный перегрев.

Ты прав и в том, что у биполярных вторичный пробой начинает развиваться при любой температуре кристалла, и вообще они сильно менее стойки в этом смысле, чем FET.
Однако и FET горят при явном непревышении средней рассеиваемой мощности. И для них тоже надо акккуратно считать и обеспечивать режимы, в которых их мгновенная температура никогда (в том числе при переходных процессах включения, срабатывании защиты от перегрузок и т.п.) не превысит предельно допустимой.
И еще (особенно при экспериментальной проверке работоспособности готовой схемы) надо учитывать, что у FET тоже есть тепловая положительная обратная связь - потери в проводящем состоянии растут с ростом температуры кристалла, что вызывает рост температуры. И эффект может оказаться лавинообразным - то есть при превыышении определенной температуры окр.среды температура может неограниченно (или по крайней мере непропорционально резко и достаточно для превышения предельной) устремиться вверх.

• Скорее всего проблема в терминологии — mse   (18.03.2002 14:08, 639 байт)