Отправлено bam 06 июня 2002 г. 14:50 В ответ на: Ответ: отправлено Vallav 06 июня 2002 г. 14:08

1. не важно как меняется С от U и соотв енергия
Е = 0.5СU^2 (С при 300В U тоже соотв. 300В) E.S.L однако
и еще возьмите посчитайте какая добротность контура
10мкГн 400пФ, после выключениия сколько его будет
"колбасить" хорошо это? не знаю но мне не нравится

2. я про Сзи вообше ничего не говорил (и не подразумевал)
и я не говорил что надо затягивать заряд Сси при выключении
речь идет о том что при выключении демпфер перехватывает ток
от нагрузки на себя.
а ток через канал при этом форсированно падает. даже быстрее
чем вы хотели (без демпфера)
т.е. рассеяние на кристалле минимально возможное.

Выключение очень быстрое, а блогодаря демпферу спад тока в канале
еще быстрее + спад тока в нагрузке такой какой надо для обеспечения
запаса по EMI
Вот вам и вывод. мне самому понравилось ;-)

• Ответ: — Vallav   (06.06.2002 15:17, 731 байт)
  • Ответ: — bam   (06.06.2002 15:45, 604 байт)
    • Ответ: — Vallav   (06.06.2002 16:41, 689 байт)
      • Ответ: — bam   (07.06.2002 10:50, 1406 байт)
        • Ответ: — Vallav   (07.06.2002 11:42, 1620 байт)
          • Ответ: Приехали — bam   (07.06.2002 12:26, 678 байт)
            • Ответ: — Vallav   (07.06.2002 14:17, 483 байт)