Отправлено Старченко Иван 06 февраля 2003 г. 21:22 В ответ на: Имелось ввиду скорее всего с изоляцией затвора p-n переходом. Типа наших 504НТ1. Но импортошных не знаю, и вообще их невелико разнообразие... отправлено SM 06 февраля 2003 г. 20:59

• Структура и легирование канала не зависит от того, какая изоляция применена между затвором и каналом. Другой вопрос - имеет ли смысл применить определенное легирование (обеднение или обогащение) при изоляции p-n переходом. Посмотрите Хоровица с Хиллом, там очень доходчиво и понятно это объясняется. — SM   (06.02.2003 21:45, пустое)
  • И канал ЕСТЬ ВСЕГДА, не зависимо от того, чем он от чего изолирован. И он всегда либо обедненный, либо обогащенный (при нулевом потенциале на затворе). И зависит это только от процесса изготовления транзистора. — SM   (06.02.2003 21:48, пустое)
    • Вы хотите сказать, что можно сделать ПТ с упр. p-n переходом у которого проходная характеристика будет лежать в первом квадранте? — Старченко Иван   (06.02.2003 21:55, пустое)
      • Посмотрите на БСИТ (в гугле находил очень подробную инфу по ним) — mse   (07.02.2003 10:26, пустое)
      • Технологически - да и легко. Но не имеет смысла. Кстати не следует забывать про довольно полезные режимы работы с прямосмещенным переходом со смещениями, не открывающими переход. — SM   (06.02.2003 21:58, пустое)
      • кончно исключая работу при втекающих токах затвора — Старченко Иван   (06.02.2003 21:57, пустое)