[an error occurred while processing this directive]
Хе! Кажись Ranger попал!
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
Отправлено
SVI
16 декабря 2003 г. 17:41
В ответ на:
Можно по IR2151 ориентироваться. У него +100/-210 мА макс. на выходе, не супер, прямо скажем.
отправлено -=Shura=- 16 декабря 2003 г. 17:35
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
:о)))
—
Ranger
(17.12.2003 07:25,
пустое
)
С другой стороны, 2uS deadtime должно спасать. Почему ты говоришь, что пауза ни при чём?
—
-=Shura=-
(16.12.2003 17:54,
пустое
)
IRF840 при полном заряде затвора в 30нКл током в 200мА будет выключен за 150нс
—
SVI
(16.12.2003 18:04, 223 байт)
Точно! Это она, проходная емкость, ети ее, абордажный лом ей в дышло ;-)
—
Ranger
(17.12.2003 07:27,
пустое
)
Да, похоже на то. Только есть ли смысл мучать Му-му довешиванием дискрета, не лучше ли сразу взять что-то вроде IR2214? Там сразу "полный фарш"
—
-=Shura=-
(16.12.2003 18:51,
пустое
)
Оно, конечно, верно. Только $6.8 против $1.3
—
SVI
(17.12.2003 11:00,
пустое
)
Ну это я "образно" :-))
—
-=Shura=-
(17.12.2003 11:04, 298 байт)
Поправка: Ток Cgd*dV/dt
—
SVI
(16.12.2003 18:06,
пустое
)
Уважаемые коллеги! А хотите хохму? (+)
—
Ranger
(17.12.2003 07:43, 874 байт)
Ответ:
—
Vallav
(17.12.2003 17:44, 85 байт)
Что-то слабо верится, что десятки ампер туда летят, а жидкий 0,2-амперный драйвер "удерживает затвор на земле мертвой хваткой".
—
-=Shura=-
(17.12.2003 11:36,
пустое
)
А драйвер и не удерживает :) Я же выходы драйвера умощнил транзисторами, где-то вверху ветки это описано
—
Ranger
(17.12.2003 11:42,
пустое
)
Дополнение
—
Ranger
(17.12.2003 08:31, 567 байт)
Не стоит расстреливать IR сразу
—
SVI
(17.12.2003 10:14, 544 байт)
А обратите внимание, при каких условиях в DS указаны эти 2*310 пФ.
—
Ranger
(17.12.2003 11:31,
пустое
)
Дык я говорил о нелинейности. Емкости можно использовать дря грубой прикидки.
—
SVI
(17.12.2003 11:42, 108 байт)
Вопрос зачем фронты 100н почему не 200 или 300? если это резонансник то потери на переключение малы. увеличивай гейтовый резистор (+диод обязательно) и будеш иметь в 2..N раз меньшие проблемы
—
bam
(17.12.2003 09:54,
пустое
)
К сожалению, увеличение резистора в затворе приводит в основном к задержке включения. Скорость переключения остается при этом практически неизменной.
—
Ranger
(17.12.2003 11:35,
пустое
)
Ответ: так будет если у тебя ключ с большим запасом по току, и вааще возьми IGBT, сам пользовал Warp впечатления очень приятные, ВХ ЗАРЯД vs MOP МИЗЕРНЫЙ, встроенный диод достаточно шустрый потери проводимости vs MOP малы. отношение A/$ опятьже
—
bam
(17.12.2003 13:04,
пустое
)
У меня частота 75 кГц, IGBT тут не очень-то... Да я и на полевиках уже победил свою схему :о) Нормально все. Спасибо за моральную поддержку.
—
Ranger
(18.12.2003 09:47,
пустое
)
Так рассказывай, чего сделал. А то потрещали и разбежались...
—
-=Shura=-
(18.12.2003 10:17,
пустое
)
А я уж думал, что давно всем надоел :) Рассказываю ==>
—
Ranger
(18.12.2003 11:07, 1126 байт)
О емкостях - основной причиной нелинейности является переход канал-подложка
—
SVI
(18.12.2003 11:57, 111 байт,
ссылка
)
Век живи - век учись... :о)
—
Ranger
(18.12.2003 17:42,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
|||
Без кадра
E-mail:
info@telesys.ru