Отправлено Gosha 22 января 2006 г. 13:42 В ответ на: Фигня какая. Чем минусее минус, тем электроны меньше шевелятся :) и стекать им лень становится. отправлено SM 22 января 2006 г. 13:38

Хорошо если так, но об этом на местном семинаре упоминали, дистрибьютеры TI

• Это скорее не собственно хранение, а работа на низких температурах. Хотя (+) — SM   (22.01.2006 14:00 213.141.159.26, 85 байт)
  • Именно хранение. Что-то там происходит с диэлектриком, и электроны под действием поля просачиваются. Где-то в описаниях на NAND FLASH у Samsung встречал что при низких температурах даные разрушаются. Давно было, не могу сейчас найти. — Gosha   (22.01.2006 14:08 217.117.80.2, пустое)
    • Так квантовые эффекты, в том числе, туннелирование электронов через баръер, вроде, при понижении температуры только лучше проявляются :) — Oldring   (25.01.2006 16:54 62.213.72.103, пустое)
    • Да диэлектрик там оксид кремния - не должно с ним ничего происходить. — SM   (22.01.2006 14:12 213.141.159.26, пустое)
      • Он ведь там особо тонкий, в отличии от EEPROM, у которых этого эффекта нет — Gosha   (22.01.2006 14:13 217.117.80.2, пустое)
        • Вообще-то одинаковый он во флешах и еепромах. И физичиский принцип загоняния заряда на плавающий затвор идентичен. Но если, как вы говорите, в еепромах этого нет, то ее и поставьте - серия 28xx (2864, 28256, и т.п.) — SM   (22.01.2006 14:22 213.141.159.26, пустое)

E-mail: info@telesys.ru