Отправлено -=ВН=- 23 ноября 2004 г. 14:46 В ответ на: Выходит что каждые 15 мкс необходимо формировать команду AUTO REFRESH и микросхема сама обновляет неактивную строку которую нужно обновить? отправлено Serega Doc 23 ноября 2004 г. 13:27

SDRAM она все-таки DRAM:-) Организация - матрица, строки и столбцы.
У обычной DRAM цикл начинался генерацией сигнала RAS - выбор строки, память при этом фиксировала адрес строки. Строка оказывалась выбранной. Грубо говоря все K ячеек строки считывались в некий буфер.
Далее сигнал CAS - фиксация адреса столбца, т.е. выбор одной из этих K ячеек.
CAS мог быть и не один, соответственно и адреса могли меняться, при зафиксированном адресе строки. Т.е. операции могли производиться не с одной, а с несколькими ячейками в одной строке. Все это время RAS держался акивным. Кстати, куча CAS при одном RAS, или, по другому, обращение к разным ячейкам, но в одной строке, в SDRAM называется burst.
Но если требовалась обращение к ячейкам из другой строки, то нужно было деактивировать RAS, некоторое время подождать, затем по новой.
Точно сказать не могу, но, по-моему, за время ожидания информация из буфера сбрасывалась обратно в запоминающие ячейки строки.
Новый адрес строки, акивация RAS, затем адрес столбца (адреса столбцов) и CAS-ы.
В SDRAM PRECHARGE - это аналог деактивации RAS, т.е. аналог заднего (положительного) фронта RAS.
Аналог его активации (переднего отриц. фронта) - команда activate.
refresh - это регенерация. Она происходит и при обычном обращении к памяти. Регенерация всей строки, в которой находится рабочая ячейка.
И есть спец. циклы регенерации. Собственно каждый такой цикл - обращение к одной строке. По немного измененной временной диаграмме, если брать аналогию с обычной DRAM. Адрес столбца в цикле регенерации не нужен. В отличии от сигнала CAS. В обычной DRAM циклы регенерации -перебором адресов строк и генерацией по заданной временной диаграмме сигналов RAS и CAS. В некоторых - просто RAS, без CAS. Т.к. адрес строки фиксируется передним фронтом RAS, то на каждую строку должен быть этот самый передний фронт, а соответственно должен быть и задний:-) Вот отсюда и необходимость precharge перед регенерацией(REFRESH). Нужно снять RAS. Адрес же строки во время autorefresh берется из внутреннего SDRAM-СКОГО счетчика адреса, это не важно.
64 миллисекунды - это макс. возможное время, за которое должны обрегенерироваться все строки памяти.
В общем можно обойтись и без специальных циклов регенерации, если умудриться обратиться за эти 64 миллисекунды к ячейкам, располагающимся во всех строках памяти. Но не всегда это возможно.
Это объяснение на пальцах, не строгое, но может полезно будет.
А может, пока я его писал, другие уже все написали.

• Огромное спасибо. Это ваш собственный опыт или расшифровка даташита? — Serega Doc   (23.11.2004 15:38, 44 байт)
  • Это мой собственный опыт, совмещенный с рашифровкой даташита:-) — -=ВН=-   (23.11.2004 16:15, 662 байт)
    • Да-да, контора Elpida. Документик называется HOW TO USE SDRAM. + По ссылке перевод микроновской доки. — P_Andrey   (23.11.2004 16:32, пустое, ссылка)
    • Да-да, контора Elpida. Документик называется HOW TO USE SDRAM. + По ссылке перевод микроновской доки. — P_Andrey   (23.11.2004 16:31, пустое)
    • А интерфейс у SDRAM микросхем что у всех одинаков? — Serega Doc   (23.11.2004 16:24, пустое)
      • Да. У обычных SDRAM. У DDR он другой, но тоже одинаковый:-). — -=ВН=-   (23.11.2004 16:27, пустое)
        • Да у DDR похож очень, DQS ещё добавились, а так тож самое. (-) — Серокой   (23.11.2004 16:42, пустое)