|
Про очистку - там несколько вариантов. Первый делается в несколько этапов - деионизированная вода под давлением, затем органика (ксилол, толуол, тихлорэтилен и т.п.), затем ионы металлов травлением в кислоте... Затем сушка или в центрифуге, или в струе очищенного инертного газа. Второй вариант - сухая очистка в плазме кислорода. Так что и отравы хватает, и сложностей...
Далее - ионная имплантация позволяет сделать полупроводниковые структуры, а качественные соединения - нет. Так что металлизацию и фотолитографию никто не отменяет. Тем более что необходимо несколько слоев металлизации, в одном даже питание не разведешь на транзисторы. Так что приехали еще к необходимости получения диэлектрических пленок. Так что Вам либо что-то сильно недоговорили, в общем дезинформация.
E-mail: info@telesys.ru