|
Отправлено
BAM 09 января 2002 г. 09:13 В ответ на: Если он выключается по базе отправлено Aleksei Pogorily 08 января 2002 г. 16:56 |
 |
|
|
Простите что не корректно объясню,
когда хочеш чтобы собеседник понял следствия,
почти всегда искажается действительная суть вещей.
*/Установлено давно и вполне определенно, что при большом выключающем */базовом токе у биполярного транзистора уменьшается область */безопасной работы. Именно для того, чтобы этого избежать, и */уменьшают скорость изменения тока базы.
ВЕСЬ ВОПРОС ПОЧЕМУ УМЕЬШАЕТСЯ ОБР? уменьшение dIб/dt
вернее dIб/dt = const это только способ загнать выключение в ОБР
Да будет вам извесно уважаемые, что высоковольтный бип. сильно
отличается от точечного транзистора. Его структура сильно модифицирована
Старые "как мне указал гн. Vallav" бип. типа КТ872 состоит из
n+ - Э
p+ - Б
n-
n+ - К
наличие и толщина слоя n- это собственно его отличие от низковольтных бип. и определяет его высоковольтность. для бип. Uкэ0 = 450В и
бип. Uкэ0 = 850В меняется только толщина этого слоя. Расплата
за это увеличение объемного заряда коллектора который накапливается
при насыщении. Причем величина заряд зависит как от Iэ/Iб так и
от времени нахождения в состоянии насыщения. Практически весь
заряд находится в области n-
Что будет если заряд базу выключать слишком быстро, но без отрыва Э
рассматрим вертикальную проекцию области n- при НАСЫЩЕНИИ (состояние
непосредственно предшествующее выключению).
Накопленный заряд в области проекции эмитера назовем Qc ,
Накопленный заряд в области проекции базы назовем Qб.
Заряд Qc рассасыватся быстро падающим током Iк.
это видно на осцилограмме Ik быстро падает но не до 0 а до вполне
определенной величины напр. I1 которую определяет Qd. в с этого момента скорость спада тока сильно уменьшается, при этом Ukэ растет
до величины определяемой внешней схемой и I1 (читай Qd).
Заряд Qd находится в "кармане" где он очень плохо рассасывается
для рекомбинации ему нужно оказатся сначала перейти в бласть которую
занимал Qc и он начинает это делать, дополнительно начинает востанавливатся через Б (рядом же)
Этот период видно на осцилограмме Ik - длинный шлейф тока до 0,
при высоком Uкэ. интеграл (Ik*Ukэ)dt при этом сильно
увеличивается.
Нелогичный на первый взгляд вывод:
при слишком быстром выключении высоков. бип. ПОТЕРИ ПРЕКЛЮЧЕНИЯ
НЕОПРАВДАННО РАСТУТ.
что будет если в момент выключения каскода с таким бип. оторвать Э
Весь Заряд Qc + Qd полетит через вывод базы во внешнюю схему.
ну некуда ему деватся. WOW !!!
Ток в базе меняет не только величину но и знак. был +Iбнас стал -Iкнас
- > в цепи базы большой скачок напряжения, не помогает ничего
самые хорошие конденсаторы из - за паразитных индуктивностей
не воспринимают токи 5-10 А с фронтами 25-50 нС
Нелогичный на первый взляд вывод:
1. ухудшение режимов (надежности) даже в сравнении с ОЭ,
дополнительный удар - через базу востанавливается заряд коллектора,
в такой схеме пробивает переход БК бип. транз.
2. использование каскода оправданно для транзисторов
с Uкэ примерно 200В
Я пытался вдохновленный AN-946B от IR лет 5 назад сконструировать
ключ 5-8А 1000В со скоростями 25-50 нС (наивный юноша)
каскод IRFZ44N + КТ872
в цепи базы стоял стабилитрон Д815 - 5В
вспеск на нем при выключении был около 50В естественно за счет
базового тока КТ872 никакими конденсаторами его его задавить не
удалось. ключ работал несколько минут потом умирал,
температура радиатора ~25 C
E-mail: 
info@telesys.ru