Отправлено Aleksei Pogorily 15 марта 2002 г. 21:19 В ответ на: В принципе, любой сильно высоковольтный полупроводниковый прибор страдает вторичным пробоем. отправлено Aleksei Pogorily 15 марта 2002 г. 21:06

Обычно внешним проявлением вторичного пробоя является то, что транзистор дохнет без перегрева, пракитически холодный, и без превышения допустиого напряжения на нем.
Это может произойти, например, так.
При относительно медленном (к примеру, сотни микросекунд) выключении высоковольтного MOSFET выделяемая мощность очень велика и успевает разогреть кристалл до заметных обратных токов, которые далее концентрируются и лавинообразно нарастают (это уже длится единицы-доли микросекунд) в какой-то одной точке кристалла. Транзистор выходит из строя. И все это столь быстро, что выделенная энергия за время пробоя не успевает уйти на корпус. С учетом малой теплоемкости кристалла и большой теплоемксти корпуса тепловая энергия дает лишь небольшой нагрев корпуса, результат - еле теплый корпус сгоревшего от локального проплавления кремния транзистора.

• Ответ: — Vallav   (16.03.2002 12:42, 479 байт)
  • Ответ: — Aleksei Pogorily   (18.03.2002 12:58, 1580 байт)
    • Скорее всего проблема в терминологии — mse   (18.03.2002 14:08, 639 байт)
  • Ответ: Классика расчета ключей в импульсном режиме. — bam   (18.03.2002 07:40, 496 байт)
    • И я об том же, сдохнет, но от перегрева, а не от вторичного пробоя — Vallav   (18.03.2002 08:29, пустое)
      • так точно. З.Ы. ... — bam   (18.03.2002 10:56, 188 байт)
  • Ответ: — mse   (16.03.2002 15:45, 336 байт)