[an error occurred while processing this directive]
Чем можно объяснить, что LDO IRU1010 имеет более высокое термосопротиление ( 70 C/W ) в корпусе TO-252 ( D-Pak ), чем в корпусе SOIC8 ( 55 C/W )?
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
Отправлено
Survivor
27 февраля 2005 г. 16:29
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Тем, что для SOIC8 термосопротивление указано для площади металлизации под выводы в 1кв. инч, против 0.5кв. инча для D-Pak
—
Неизвестный
(28.02.2005 10:35,
пустое
)
Тем, что для SOIC8 термосопротивление указано для площади металлизации под выводы в 1кв. инч, против 0.5кв. инча для D-Pak
—
Неизвестный
(28.02.2005 10:34,
пустое
)
Указанные площади - это для внешних или внутренних слоев металлизации?
—
Survivor
(28.02.2005 10:47, 531 байт)
А там не сказано :) Полагаю, имелась в виду площадь на стороне пайки микросхемы. Если есть желание, можно использовать вторую внешнюю метализацию, с достаточным числом больших переходных отвестий. Использование внутренних слоёв менее эффективно, имхо
—
Неизвестный
(28.02.2005 12:24,
пустое
)
Или внутренние слои металлизации 4-х слойной платы в качестве теплоотвода не используются , чтобы плата не расслоилась?
—
Survivor
(28.02.2005 12:51,
пустое
)
соик8 мог быть керамическим
—
LordN
(27.02.2005 20:04,
пустое
)
Нет, SOIC8 обычный пластиковый.
—
Survivor
(27.02.2005 20:33,
пустое
)
Отправка ответа
Имя (обязательно):
Пароль:
E-mail:
Тема (обязательно):
Сообщение:
Ссылка на URL:
Название ссылки:
URL изображения:
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
|||
Без кадра
E-mail:
info@telesys.ru