Отправлено Точка опоры 06 февраля 2003 г. 19:25

1. Выпускает-ли кто-нибудь из буржуев ( или наших ) подобранные в пары или сдвоенные полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и p-каналом обеднённого типа ( depletion mode p-channel JFET ) в корпусах для поверхностного монтажа?
2. Или есть-ли у кого-нибудь данные ( хотя-бы приблизительные ) насколько различаютя Vgs off и Id ss в пределах одной заводской упаковки.

Зачем всё это: Хочу мерять небольшую разность напряжений, которые больше ( в 2..3 раза ) чем питание моего устройства. Предельно дёшево.

• Для измерения небольшой разницы напряжений, — Леонид Иванович   (07.02.2003 01:03, 600 байт)
  • Ответ: — Точка опоры   (07.02.2003 09:24, 236 байт)
    • посмотри там, мож найдёшь, но на дёшево - не надейся. — mse   (07.02.2003 11:00, 65 байт, ссылка)
• Fairchild довольно много JFETов выпускает, попробуйте у них глянуть. Хотя, честно говоря выбор элементов для данной задачи кажется мне несколько странным. — -=Shura=-   (06.02.2003 21:46, пустое)
• Може я чего не знаю, но как это - " полевые транзисторы с управляющим p-n переходом и p-каналом обеднённого типа" — Старченко Иван   (06.02.2003 20:19, пустое)
  • Имелось ввиду скорее всего с изоляцией затвора p-n переходом. Типа наших 504НТ1. Но импортошных не знаю, и вообще их невелико разнообразие... — SM   (06.02.2003 20:59, пустое)
    • КП303Б! Управляющий p-n переход говорит сам за себя, напряжение на затворе ниже истока,там не нет обедненного или обогащенного канала. Или я не на то учился? — Старченко Иван   (06.02.2003 21:22, пустое)
      • Структура и легирование канала не зависит от того, какая изоляция применена между затвором и каналом. Другой вопрос - имеет ли смысл применить определенное легирование (обеднение или обогащение) при изоляции p-n переходом. Посмотрите Хоровица с Хиллом, там очень доходчиво и понятно это объясняется. — SM   (06.02.2003 21:45, пустое)
        • И канал ЕСТЬ ВСЕГДА, не зависимо от того, чем он от чего изолирован. И он всегда либо обедненный, либо обогащенный (при нулевом потенциале на затворе). И зависит это только от процесса изготовления транзистора. — SM   (06.02.2003 21:48, пустое)
          • Вы хотите сказать, что можно сделать ПТ с упр. p-n переходом у которого проходная характеристика будет лежать в первом квадранте? — Старченко Иван   (06.02.2003 21:55, пустое)
            • Посмотрите на БСИТ (в гугле находил очень подробную инфу по ним) — mse   (07.02.2003 10:26, пустое)
            • Технологически - да и легко. Но не имеет смысла. Кстати не следует забывать про довольно полезные режимы работы с прямосмещенным переходом со смещениями, не открывающими переход. — SM   (06.02.2003 21:58, пустое)
            • кончно исключая работу при втекающих токах затвора — Старченко Иван   (06.02.2003 21:57, пустое)