Отправлено -=Shura=- 16 декабря 2003 г. 17:35 В ответ на: Согласен с вами обоими. В DS ни слова о нагрузочной способности! отправлено SVI 16 декабря 2003 г. 17:30

• Хе! Кажись Ranger попал! — SVI   (16.12.2003 17:41, пустое)
  • :о))) — Ranger   (17.12.2003 07:25, пустое)
  • С другой стороны, 2uS deadtime должно спасать. Почему ты говоришь, что пауза ни при чём? — -=Shura=-   (16.12.2003 17:54, пустое)
    • IRF840 при полном заряде затвора в 30нКл током в 200мА будет выключен за 150нс — SVI   (16.12.2003 18:04, 223 байт)
      • Точно! Это она, проходная емкость, ети ее, абордажный лом ей в дышло ;-) — Ranger   (17.12.2003 07:27, пустое)
      • Да, похоже на то. Только есть ли смысл мучать Му-му довешиванием дискрета, не лучше ли сразу взять что-то вроде IR2214? Там сразу "полный фарш" — -=Shura=-   (16.12.2003 18:51, пустое)
        • Оно, конечно, верно. Только $6.8 против $1.3 — SVI   (17.12.2003 11:00, пустое)
          • Ну это я "образно" :-)) — -=Shura=-   (17.12.2003 11:04, 298 байт)
      • Поправка: Ток Cgd*dV/dt — SVI   (16.12.2003 18:06, пустое)
        • Уважаемые коллеги! А хотите хохму? (+) — Ranger   (17.12.2003 07:43, 874 байт)
          • Ответ: — Vallav   (17.12.2003 17:44, 85 байт)
          • Что-то слабо верится, что десятки ампер туда летят, а жидкий 0,2-амперный драйвер "удерживает затвор на земле мертвой хваткой". — -=Shura=-   (17.12.2003 11:36, пустое)
            • А драйвер и не удерживает :) Я же выходы драйвера умощнил транзисторами, где-то вверху ветки это описано — Ranger   (17.12.2003 11:42, пустое)
          • Дополнение — Ranger   (17.12.2003 08:31, 567 байт)
            • Не стоит расстреливать IR сразу — SVI   (17.12.2003 10:14, 544 байт)
              • А обратите внимание, при каких условиях в DS указаны эти 2*310 пФ. — Ranger   (17.12.2003 11:31, пустое)
                • Дык я говорил о нелинейности. Емкости можно использовать дря грубой прикидки. — SVI   (17.12.2003 11:42, 108 байт)
            • Вопрос зачем фронты 100н почему не 200 или 300? если это резонансник то потери на переключение малы. увеличивай гейтовый резистор (+диод обязательно) и будеш иметь в 2..N раз меньшие проблемы — bam   (17.12.2003 09:54, пустое)
              • К сожалению, увеличение резистора в затворе приводит в основном к задержке включения. Скорость переключения остается при этом практически неизменной. — Ranger   (17.12.2003 11:35, пустое)
                • Ответ: так будет если у тебя ключ с большим запасом по току, и вааще возьми IGBT, сам пользовал Warp впечатления очень приятные, ВХ ЗАРЯД vs MOP МИЗЕРНЫЙ, встроенный диод достаточно шустрый потери проводимости vs MOP малы. отношение A/$ опятьже — bam   (17.12.2003 13:04, пустое)
                  • У меня частота 75 кГц, IGBT тут не очень-то... Да я и на полевиках уже победил свою схему :о) Нормально все. Спасибо за моральную поддержку. — Ranger   (18.12.2003 09:47, пустое)
                    • Так рассказывай, чего сделал. А то потрещали и разбежались... — -=Shura=-   (18.12.2003 10:17, пустое)
                      • А я уж думал, что давно всем надоел :) Рассказываю ==> — Ranger   (18.12.2003 11:07, 1126 байт)
                        • О емкостях - основной причиной нелинейности является переход канал-подложка — SVI   (18.12.2003 11:57, 111 байт, ссылка)
                          • Век живи - век учись... :о) — Ranger   (18.12.2003 17:42, пустое)