Надежность хранения данных в памяти FLASH при низких температурах («Телесистемы»: Конференция «Цифровые сигнальные процессоры (DSP) и их применение»)

[an error occurred while processing this directive] Надежность хранения данных в памяти FLASH при низких температурах

(«Телесистемы»: Конференция «Цифровые сигнальные процессоры (DSP) и их применение»)

Отправлено Gosha 22 января 2006 г. 10:55

Согласно ТУ изделие должно выдерживаить температуру хранения -50°С, а программа зашита во FLASH. Пока только по слухам известно, что при -45°С и ниже проявляется эффект "стекания памяти". Буду очень признателен если поделитесь достоверной информацией на эту тему.

Составить ответ ||| Конференция ||| Архив

Ответы

Во нашел, в описании на MSP430: температура храннения запрограммированного контроллера -40...+85 градусов, а незапрограммированного -55...+150 — Gosha (22.01.2006 19:28 217.117.80.2, пустое)
- интересно только сколько он прохранится при +150С =) — Doka (22.01.2006 19:55 193.192.155.22, пустое)
  - Незашитый? Сколько угодно, что ему сделается-то? — -=Shura=- (24.01.2006 10:38 217.21.50.43, пустое)
    - Ну, например, возрастет скорость диффузии примесей в полупроводнике, и кристалл умрет от старости :) — Oldring (25.01.2006 16:52 62.213.72.103, 149 байт)
Фигня какая. Чем минусее минус, тем электроны меньше шевелятся :) и стекать им лень становится. — SM (22.01.2006 13:38 213.141.159.26, пустое)
- Ответ: — Gosha (22.01.2006 13:42 217.117.80.2, 75 байт)
  - Это скорее не собственно хранение, а работа на низких температурах. Хотя (+) — SM (22.01.2006 14:00 213.141.159.26, 85 байт)
    - Именно хранение. Что-то там происходит с диэлектриком, и электроны под действием поля просачиваются. Где-то в описаниях на NAND FLASH у Samsung встречал что при низких температурах даные разрушаются. Давно было, не могу сейчас найти. — Gosha (22.01.2006 14:08 217.117.80.2, пустое)
      - Так квантовые эффекты, в том числе, туннелирование электронов через баръер, вроде, при понижении температуры только лучше проявляются :) — Oldring (25.01.2006 16:54 62.213.72.103, пустое)
      - Да диэлектрик там оксид кремния - не должно с ним ничего происходить. — SM   (22.01.2006 14:12 213.141.159.26, пустое)
        
        Он ведь там особо тонкий, в отличии от EEPROM, у которых этого эффекта нет — Gosha   (22.01.2006 14:13 217.117.80.2, пустое)
        
        Вообще-то одинаковый он во флешах и еепромах. И физичиский принцип загоняния заряда на плавающий затвор идентичен. Но если, как вы говорите, в еепромах этого нет, то ее и поставьте - серия 28xx (2864, 28256, и т.п.) — SM   (22.01.2006 14:22 213.141.159.26, пустое)

Перейти к списку ответов ||| Конференция ||| Архив ||| Главная страница ||| Содержание

E-mail: info@telesys.ru

Ответы

Отправка ответа