[an error occurred while processing this directive]
Я говорю не только о внутренних элементах, а и о выходных ячейках. В которых точно также параллелятся транзисторы в слое металлизации для достижения рабочих выходных токов от 4 до 24 ма (в том кристалле, что делал я). Докучи в БМК для коррекции допустимы только слои металлизации, и речи о добавлении резисторов в схему быть не может, так как любой резистор там - в реальности есть канал полевого транзистора. Причем, более того, совершенно официально можно запареллелить несколько выходных ячеек уже при разварке кристалла - "double bonding" называется. И не халтура это вовсе - кому надо, тот эти параметры у производителя узнает.
(«Телесистемы»: Конференция «Программируемые логические схемы и их применение»)