храниение переменной во flash на atmega8 («Телесистемы»: Конференция «Микроконтроллеры и их применение»)

Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры

| Карта сайта | Пишите нам | В избранное

Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:jobsmp@pochta.ru

Телесистемы | Электроника | Конференция «Микроконтроллеры и их применение»

храниение переменной во flash на atmega8

Отправлено BATCOH 31 марта 2007 г. 22:24

День Добрый!
Мне нужно чтобы при отключении питания значение одной переменной сохранялось в памяти мк, чтобы при следущем включении её можно было использовать и изменять её значение.

пишу на Си в code vision avr

Составить ответ | Вернуться на конференцию

Ответы

int eeprom <variable_name> — 32768 (31.03.2007 22:45:16 82.207.101.213, 89 байт)
По обнаружению факта НАЧАЛА отключения питания (задействуй для этого компаратор) просто запиши эту переменную в EEPROM (а не во Flash) — =AVR= (31.03.2007 22:40:32 80.92.96.19, пустое)
- навеяло - два наркоши сидят в кино. Один спрашивает- и как они умудряются так плавно свет гасить? - А ты преставь себе, електрик так мееедддллееенннооо - мееедддллееенннооо тяяяянееет вииилку из рооозееткиии..... — pau62 (31.03.2007 22:53:35 212.26.238.20, пустое)
- Это почему вдруг не во флешь? — pau62 (31.03.2007 22:47:31 212.26.238.20, пустое)
  - дык эттаа....у еепрома вроде как ресурс поболее будет....или я что-то путаю? — 32768 (31.03.2007 22:50:22 82.207.101.213, пустое)
    - эта да... однако что, разные технологии для флеши и еепромы в одном кристалле? — pau62 (31.03.2007 22:55:39 212.26.238.20, пустое)
      - EEPROM - отдельная область кристалла со своим контроллером, побайтовой записью и гораздо более крупными ячейками — =AVR=   (31.03.2007 23:05:19 80.92.96.19, пустое)
        
        ну побайтовая запись пожалуй существенна. а большая полощадь что даст? емкость больше, и утечки пропорционально больше. — pau62   (31.03.2007 23:12:0 212.26.247.215, пустое)
        
        БОльшая там не столько площадь, сколько толщина подзатворного окисла, что замедляет деградацию — =AVR=   (31.03.2007 23:15:2 80.92.96.19, пустое)
        
        т.е. это практически другой техпроцесс.... теоретически - могет быть, практически- вряд ли. — pau62   (31.03.2007 23:19:4 212.26.247.215, пустое)
        
        Это абсолютно тот же техпроцесс, а в различиях характеристик Flash и EEPROM можешь убедиться по любому ДШ от АВР - у Flash 10K циклов, у EEPROM - 100K — =AVR=   (31.03.2007 23:25:27 80.92.96.19, пустое)
        
        дык буквовки я разбираю, и даже цифирки. однако не представляю техпроцеса, при котором толщина слоя диэлектрика (или окисла) может в несколько раз отличаться в пределах кристалла. скорее ресурс флеши умышленно занижают(в расчете на ячейку), имея ввиду блочную запись.. — pau62   (31.03.2007 23:33:27 212.26.243.160, пустое)
Это просто- открываете help CV , там есть раздел "Accessing the EEPROM" (+) — pau62 (31.03.2007 22:40:0 212.26.238.9, 173 байт)
- спасибо!! я уже проверил. заработало!! — BATCOH (31.03.2007 23:15:47 83.237.164.72, пустое)
  - это уже не важно.... — pau62 (31.03.2007 23:20:9 212.26.247.215, пустое)
А вопрос-то в чем ? (+) — vinogradov aleksei (31.03.2007 22:38:7 91.124.91.161, 232 байт)
- Т.е., в EEPROM и храните ... — vinogradov aleksei (31.03.2007 22:38:56 91.124.91.161, пустое)