[an error occurred while processing this directive]
[an error occurred while processing this directive]
|
> Мое глубокое убеждение
> НЕЛЬЗЯ БЕЗ ТОЧНОГО ПОНИМАНИЯ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ТРАНЗИСТОРЫ В
> ПРЕДЕЛЬНЫХ РЕЖИМАХ.
Воистину так.
И все указанное верно, если транзистор выключается по базе.
Установлено давно и вполне определенно, что при большом выключающем базовом токе у биполярного транзистора уменьшается область безопасной работы. Именно для того, чтобы этого избежать, и уменьшают скорость изменения тока базы.
Но если транзистор выкоючается по эмиттеру, а база подключена к низкоомной цепи (в пределе - к источнику ЭДС), то все несколько по-другому.
Транзистор при этом можно представить как относительно быстрый собственно транзистор и довольно медленный диод, включенный параллельно переходу коллектор-база. При разрыве эмиттреной цепи транзистор быстро (с постоянной времени, соответствующей граничной частоте в схеме с общей базой и малым накопленным зарядом, соответствующим заряду, накопленному в базе) выключается. И остается диод коллектор-база, не очень быстрый и с гораздо бОльшим накопленным зарядом, соответствующим заряду, накопленному в области коллектора. Через этот диод, пока он не закроется, ток коллектора (он же ток, идущий через индуктивность трансформатора) идет в цепь, к которой подключена база. На эмиттере при этом ток нулевой, а напряжение выше, чем на базе, на величину напряжения пробоя перехода эмиттер-база (это около 8-10 вольт; это не когда диод еще открыт и напряжение на нем близко к нулю, а когда он закрывается и напряжение на нем растет).
Поскольку транзистор при выключении диода закрыт, а в диодах вторичного пробоя не бывает, и достигается резкое увеличение области безопасной работы высоковольтных транзисторов при выключении по эмиттеру.
E-mail: info@telesys.ru