[an error occurred while processing this directive] [an error occurred while processing this directive]
В принципе, любой сильно высоковольтный полупроводниковый прибор страдает вторичным пробоем.
(«Телесистемы»: Конференция «Аналоговая схемотехника»)
[an error occurred while processing this directive] [an error occurred while processing this directive] [an error occurred while processing this directive]

Отправлено Aleksei Pogorily 15 марта 2002 г. 21:06
В ответ на: Ответ: отправлено Vallav 15 марта 2002 г. 19:41

Механизм - основан на росте обратного тока перехода при повышении температуры. Это дает положительную обратную связь со всеми сопутствующими радостями типа концентрации тока, а затем - либо местное проплавление, либо растрескивание от местных механических напряжений термического происхождения.
Но чтобы это на обратном токе возникло - нужно много вольт (для заметной мощности), способствует развитию этого эффекта и высокая температура (больше плотность обратного тока).

У биполярных транзисторов есть более ранний механизм развития вторичного пробоя - из-за того, что Bст растет с ростом температуры.

Отмечу, что при отсутствии локальных точечных дефектов лавинный пробой ни к чему такому не приводит - так как у него ток падает с ростом температуры. От лавинного пробоя ПП гибнут только если он концентрируется на малом участке, что дает локальное повышение температуры. Либо от общего перегрева. Впрочем, перегрев (как общий, так и локальный) провоцирует начало вышеописанного вторичного пробоя.
Именно так гибнут при перегреве силовые MOSFET.

Составить ответ  |||  Конференция  |||  Архив

Ответы


Отправка ответа

Имя (обязательно): 
Пароль: 
E-mail: 

Тема (обязательно):
Сообщение:

Ссылка на URL: 
Название ссылки: 

URL изображения: 


Перейти к списку ответов  |||  Конференция  |||  Архив  |||  Главная страница  |||  Содержание  |||  Без кадра

E-mail: info@telesys.ru